罗技的 Tribo CMP 系统可在直径达 100 毫米/4 英寸的单个芯片或晶圆上提供纳米级材料去除能力。该 CMP 解决方案适用于当今设备制造工艺中使用的各种晶圆/基板材料。
Tribo CMP 系统在 CMP 的控制和层去除方面达到了行业标准,并产生了激光质量的表面(0/0 划痕挖掘),从而改善了表面形貌。您还可以使用该系统在基板上达到亚纳米级别的 Ra。
这种高度通用的系统可以通过使用不同的承载头、抛光模板、湿台模块或终点检测来定制。
Tribo 允许您通过多个传感器收集大量数据变量,以便识别和分析正在处理的材料样本的各种现场因素。集成的实时分析软件允许您将这些数据转换为可用信息。该软件可以很容易地导出到标准包中,例如 Microsoft Excel。
可以使用 Tribo 的具体应用包括:
- 硅晶圆CMP
- III-V族化合物半导体全球CMP
- 氮化硅、氧化物和聚合物层的全球 CMP
- 脆性、易碎 IR 材料基板的全球 CMP
- 蓝宝石、氮化镓和碳化硅基板的全球 CMP
- EPI 就绪基板的回收
- SOS 和 SOI 晶圆的最后阶段减薄到 20 微米以下
- 用于 FA 应用程序逆向工程的设备延迟
该系统的其他功能和优势包括:
- 过程金刚石修整
- 加工硬质和软质材料
- 可满足各种晶圆尺寸
- 可提供高向下负载设置
- 背压设置以获得更好的工艺结果
- 终点检测可实时监控抛光
- 摩擦学和化学机械抛光应用的理想选择
- 晶圆的精密加工达 100mm (4″)
- 原位垫调节器优化垫条件
- 台式解决方案
产品数据:
电源: |
单相,中性线,接地线。220v-240v |
保险丝额定值: |
16A 断路器 |
板速: |
0-100rpm |
盘子直径: |
400mm |
板旋转: |
正反方向设置 |
载波 1 速度 |
10-100rpm |
运营商 2 速度 |
10-100rpm 最大。 |
可用的载体尺寸: |
100mm (4″) 晶圆 |
高度: |
1123mm |
深度: |
885mm-985mm(含屏) |
宽度: |
1234mm-1382mm(含管材) |
净重: |
260Kg |
总包装重量: |
440Kg |
化学相容性: |
酸性和碱性 CMP 浆料 |
应用
化学机械制造应用
主要应用领域是摩擦学和研究领域,特别是在过程和分析结果方面。例如摩擦监测系数 (CoF)。
Tribo 化学机械抛光系统也很容易适应作为微机电系统 (MEMS) 制造中的一项使能技术,特别是多晶硅表面微加工、光电 MEMS 和生物 MEMS 封装、组装甚至制造。
半导体材料广泛用于各种器件,例如场效应晶体管(MosFets、Fets)、集成电路(IC、MMIC、ASIC)、焦平面阵列和红外探测器。
无论应用或材料如何,每个半导体晶圆在制造过程中都会经历几个常见的阶段,包括从晶体中切割晶圆、在制造前准备表面以及在制造后通过使用研磨和抛光技术使器件变薄。
罗技提供完整的系统解决方案,包括用于精确减薄这些 III-V、IR 和类似材料的耗材。